肖正国AFM: 基于钙钛矿异质结的高辐射大面积发光二极管

       金属卤化物钙钛矿（MHPs）在过去几年取得了令人难以置信的成就，特别是在钙钛矿发光二极管（PeLEDs）领域。然而，大多数高效 PeLED 中使用的空穴传输层 (HTL) 通常在10-4-10-6 cm2 V-1 s-1范围内具有低空穴迁移率，远低于MHP，导致严重的滚动损失和设备的低辐射。

       中国科学技术大学肖正国等人使用正交溶剂成功地将甲基铵碘化铅 (MAPbI3) 沉积在甲基氯化铅 (MAPbCl3) 的顶部，以形成异质结 PeLED (HJ-PeLED)。由于MAPbCl3 ≈42 cm2 V-1 s-1的高空穴迁移率，HJ-PeLED 在低电压下表现出10.7%的峰值外量子效率和157 W sr-1 m-2的高辐射率3.9 V。

       此外，通过刀片涂层制造的大面积（28 cm2）HJ-PeLED显示出≈180 W sr-1 m-2的均匀和高辐射。这项工作提供了一种新的策略来制造明亮的大面积PeLED以满足商业应用的要求。

       Rashid Khan, et al. High Radiance of Perovskite Light-Emitting Diodes Enabled by Perovskite Heterojunctions, Advanced Functional Materials, 2022. DOI: 10.1002/adfm.202203650 https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adfm.202203650