半导体环形激光器中的耗散克尔孤子

       近日，来自瑞士量子电子研究所的Bo Meng等人报道了在快速半导体增益介质的环形腔中产生耗散性Kerr孤子的实验观察。量子级联激光器的巨大谐振Kerr非线性补偿了环形腔的中等品质因子，该谐振腔比Si3N4激光器大100多万倍。通过对空腔色散的设计，他们观察到在中红外范围内明亮耗散的Kerr孤子的形成。两种独立的技术揭示了孤子的波形和相干性，并确定了重建的时间宽度大约为3 ps。此外，通过光学滤除色散波，得到了无背景的3.7 ps孤子脉冲。他们的研究结果将孤子微梳的光谱范围扩展到中红外波长，并将在分子指纹图谱领域形成集成的、电池驱动的和交钥匙式的光谱仪。相关研究工作发表在《Nature Photonics》上。（詹若男）

       文章链接：Bo Meng et al. Dissipative Kerr solitons in semiconductor ring lasers. Nature Photonics (2021) https:/ / doi.org/10.1038/ s41566-021-00927-3