高峰等人: 揭示离子迁移如何影响钙钛矿发光二极管的性能

尽管钙钛矿发光二极管（PeLED）在过去几年中发展迅速，但离子迁移如何影响器件效率和稳定性的基本机制仍不清楚。林雪平大学Xiao‐Ke Liu和高峰等人证明了在发光层中移动离子的动态重新分布在PeLED的性能中起着关键作用，并且可以解释在设备测量期间通常观察到的一系列异常行为。

移动离子的动态重新分布会改变载流子注入，并导致复合电流增加。同时，离子的重新分布也会改变电荷的传输并导致分流电阻电流减小。研究发现，PeLED在外量子效率（EQE）和辐射率方面表现出滞后现象，也就是说，反向电压扫描期间的EQE和辐射率高于正向扫描过程。

此外，离子重新分布引起的电荷注入和输运的变化也很好地解释了恒定驱动电压下EQE/辐射率值的升高。通过在基于FAPbI3的PeLED中添加额外的 FAI，可以使该论点进一步合理化，从而导致更大的滞后现象和PeLED的较短的工作稳定性。

Heyong Wang et al. Dynamic Redistribution of Mobile Ions in Perovskite Light‐Emitting Diodes，Advanced Functional Materials, 2020.
DOI: 10.1002/adfm.202007596
       https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adfm.20200759