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硅和氮化硅相变光子存储计算平台的实验研究

2020-03-23 20:03:59浏览:546来源:中国激光网   

近日,来自牛津大学的研究人员们系统地评价比较了在硅平台和氮化硅平台上相变光子学的计算性能。
      人工智能的进步极大地增加了对数据密集型计算的需求。集成光子学因其具有宽带、高速、低延迟和低能耗计算的潜力,是满足大数据处理需求的一种很有前途的方法。利用相变材料进行的光子计算结合了集成光子学和同位数据存储的优点,是最近迅速发展起来的一个新兴领域。 尽管这一领域在硅和氮化硅平台上的演示都取得了快速进展,但在这两者之间缺乏明确的选择途径。
       研究人员通过实验评价比较了在硅平台和氮化硅平台上相变光子学的计算性能,结果表明尽管硅平台在集成潜力、调制速度和设备占用空间方面优于氮化硅,但是,在氮化硅平台中全光交换效率更高。 研究人员还成功地演示了在硅光子波导上使用相变光存储器进行单脉冲调制,并演示了高效的编程、存储和读取每个单元大于4bit的数据。这种方法将有助于在硅光子平台上进行内存计算。

图:硅波导相变计算单元的3D结构

(责任编辑:小编)
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