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点击图片查看原图品牌：Amplification Technologies
离散放大光子探测器阵列包含一个带有 25 个前置放大器的印刷电路板、一个二级 TEC制冷 和一个热敏电阻，主要应用于激光雷达系统、三维成像和环境监测。
产品特点：
·950 至 1650 nm 的近红外光谱响应
·使用低功率两级热电冷却器，阵列温度可稳定冷却至-30°C，可在大范围的环境温度下工作
·对所有25个阵列元件使用单个SMA连接器，使用单一的直流偏置
·非常高的增益，大约每光子10万个电子
·低噪声，低抖动，50Ω，射频模拟前置放大板
·极低的探测器噪声系数
参数/规格（在阵列温度-35℃，封装环境温度为22℃的条件下）
|
参数 |
DAPDNIR 5x5 Array 1550 系列 100 μm Pitch |
单位 |
|
有效面积尺寸 |
500 by 500 |
μm2 |
|
有效面积单像素 |
90 by 90 |
μm2 |
|
像素数 |
25 |
- |
|
光子探测效率@1550nm (PDE)1 |
15 |
% |
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光谱响应范围 (λ) |
950 – 1650 |
nm |
|
单光电子增益 (M) |
1x105 |
- |
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过量噪声系数 |
1.05 |
- |
|
暗计数率(单像素) |
4 |
MHz |
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工作偏压 |
60 |
V |
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上升时间(10% - 90%) |
750 |
ps |
|
单放大通道恢复时间（-35°C） |
50 |
ns |
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每脉冲线性范围(10kHz，重复频率，单像素) |
1200 |
Photons/pulse |
（1）光子探测效率包括后脉冲。
